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标题: 4K液晶对OLED和等离子两种平板显示技术的影响分析 [打印本页]

作者: admin 时间: 2014-10-12 22:06
标题: 4K液晶对OLED和等离子两种平板显示技术的影响分析
更高阶清晰度面板产品的问世，被认为是液晶显示技术还拥有持续发展的巨大活力的最好见证。这种观点不禁会使人们将液晶技术的进步与OLED彩电的出现和液晶夙敌等离子彩电的淘汰先联系起来。
首先，4K技术对等离子的确是一个挑战。等离子显示技术最大的弱点就在于“像素密度”的瓶颈。这也是等离子不制造32英寸电视的原因。事实上，42英寸全高清分辨率对等离子技术而言已经是一个非常高的像素密度。而一旦市场建立起更高像素密度才是好的产品的观念，等离子电视就被迫加入这场以“PPI”为标准的心竞争之中。这对于等离子显示技术将是十分不利的现象。

第二，推动4K彩电产品的面板企业最积极的是夏普、友达和奇美——这三个有一个共同特性，那就是在OLED技术储备上相对不足。而作为全球液晶销量第一的三星，则在4K上的产品集中在70以上的工业和商业用产品上，对民用彩电市场，特别是32-55英寸市场的4K化比较保守。与其策略类似的全球面板业产能第二的LGD。——另一方面，三星和LGD确实首个推动OLED大型化的企业。这使人联想到一些企业推动4K液晶是为了与实现火热的新技术OLED竞争高下，或者是为了延缓OLED的发展速度。
持有将4K液晶放在OLED的对立面的观点的人大有人在。不仅仅是因为二者阵营的不同，更是因为如果将高端电视的竞争建立在4K的基础上，OLED在初步量产上必然技术困难更大。但是，这种观点却忽略了一个事实：4K技术大规模出现的前提是新的技术氧化物TFT技术的成熟——这一技术恰恰是OLED面板产业发展必备的技术：他不仅也能为OLED面板提供更大的像素密度，而且对OLED面板的寿命也有帮助。
众所周知，OLED是电流驱动，LCD是电压驱动。传统A-SI TFT和金属氧化物TFT比较，最大的劣势在于电子迁移率低，也就是对大电流工况的适应能力低。此外，另一个在中等和小尺寸高像素密度液晶上广泛应用的技术，LTPS TFT也可以大大提升电子迁移率，并被广泛应用于同样尺寸的OLED产品上。目前，LGD的8.5代线OLED将采用金属氧化物TFT，而三星的8.5代OLED面板线预计初期采用传统工艺，后起可能演进为三星独特的SGS (Super Grain Silicon)制程LTPS TFT。

因此，就大部分4K或者其他高像素密度液晶采用LTPS TFT或者金属氧化物TFT技术的事实而言，面板企业向二者的技术升级和转移，不仅不是对OLED否定性的竞争，反而是为未来生产线进一步升级到OLED做好了准备、迈出了关键的第一步。
其次，OLED技术在高像素密度产品上的竞争力并不会比现在的液晶差：4K液晶产品线最全面的夏普，同时也是高像素密度OLED的主要推动者。2012年SID2012展会上，夏普展示了3840×2160像素的13.5英寸有机EL面板，这比较LG最新展示的5英寸、1920×1080分辨率的lcd显示面板，像素密度差距不大。此外，SID2012展会上，奇美电展出3.4寸及4.3寸分辨率高达326ppi的「TRUEOLED」OLED面板，并将于2012年4季度量产。——事实说明，在小尺寸领域OLED面板的PPI并不落后于任何LCD产品。
从技术角度，高像素密度的LCD和OLED都采用金属氧化物或者低温多晶硅TFT驱动技术。同时，二者在成膜结构上，OLED也不在像素密度这个领域有丝毫弱势。相反，自身以固态存在的OLED一旦形成高精度密度结构模体，反而比液态的LCD更为稳定。现在，OLED材料的高像素密度成膜结构的产业瓶颈主要在于：第一，大玻璃基板一次性成膜设备的制备，第二，和低成本成膜工艺设备的开发。
就第一点而言，三星代号为A2的5.5代线采用的先切割成四分之一5.5代线大小的基板，再做OLED薄膜层。不过三星正在建设的代号为A3的另一条5.5代线将采用非切割的一次成膜方式。就第二点而言，现在采用的“蒸镀膜”技术，对于OLED大规模大尺寸制备成本的确有些高。不过，日本和韩国企业已经开发出基于印刷技术的OLED成膜技术原型——这回领其成本降低一个数量级。
从LCD高像素密度的发展路径可以看出这样的规律：高像素密度产品是从小尺寸向大尺寸逐步发展的(小尺寸近距离显示产品对像素大小更敏感)。而目前，小尺寸和中等尺寸OLED已经全面突破“高PPI”的工艺瓶颈，这使得“认为高像素密度LCD能够阻止OLED普及”的观点几乎面临破产。

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