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标题: IDT72V3680芯片的内部结构介绍 [打印本页]

作者: liyf 时间: 2011-4-28 16:45
标题: IDT72V3680芯片的内部结构介绍
IDT72V3680属于IDT公司的高密度supersyncTMⅡ36位系列存储器IDT72V3640～3690中的一种，其存储结构为16，384×36。这一系列CMOS工艺的FIFO（先入先出）芯片具有极大的深度。
其基本功能特点如下：

　　对读／写口都可进行灵活的总线宽度设置，可选择不同的输入／输出数据线宽度（可在36 in 36 out；36 in 18 out；36in 9 out；18 in 36 out；9in 36 out中选择）；
　　重传操作延时很低且固定；
　　首字的写入到读出的延时很低且固定；
　　数据密度高达1Mbit；
　　操作时钟可达166MHz；
　　可选大／小字节排列格式；
　　主复位方式可提供FIFO整体清零，部分复位只清掉存储数据，但保留可编程设置项；
　　几乎空／满标志置位或无效操作可选择同步或异步时间模式；
　　具有两种时间工作模式，分别为IDT标准模式（采用

和

标志位）和FWFT首字直传模式（采用

标志位）；
　　读写操作采用独立时钟，并可异步操作；
　　采用TQFP（128引脚）和PBGA（144引脚）两种封装形式，其中PBGA封装形式不仅可用JTAG口提供边界扫描功能，还可选择同步或者异步读写操作（只对PBGA封装）；
　　与5V输入兼容；
　　具有节电模式；
　　管脚可与更高密度的芯片IDT72V36100和IDT72V36110兼容。
　　IDT72V3680的内部结构框图如图1所示。

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