高速H桥上管驱动电路

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高速H桥上管驱动电路
上例方案的速度瓶颈为光耦，如果不采用光耦那么控制信号的频率可以提高很多。通过试验，我们开发了如下的高速型H桥上管驱动电路。方案如图9所示。
图中上管控制信号高电平为+l2 V，低电平为0 V。控制信号通过电阻电容和二极管电路加到Q1的基极，Q1的集电极输出作为



图9 高速H桥上管驱动电路
Fig．9 High Speed H-bddge Highside Driving
Q2，Q3组成的差动驱动电路控制信号，差动电路的输出作为Ml的驱动信号。Q2，Q3组成的差动驱动电路上端Q2接 +l2 V电源，下端Q3接到Ml的s极。当上管控制信号为低电平时，Q2导通，Q3截止，Ml的G极约为 D+l2 V，使Ml可顺利导通。Ml导通后，其D极和s极之间为通路，几乎没有压降，此时s极也为l，DD，则Ml的G和s之间的压差为l2 V，满足MOS管的导通条件，Ml可维持导通状态。当上管控制信号变为高电平时，Q2截止，Q3导通，使Ml的G和s极之间压差很小，不能满足MOS管的导通条件，则Ml截止。需要指出的是，当Q2导通M1尚未导通的瞬间，Ml的G和s间压差为l，DD+l2 V，但由于MOS管的开启时间极短(几十US)，Q2导通时，Ml几乎同时开启，使MJ的G和s之问的压差保证为12V(如图10)。



高速H桥上管驱动信号畸变
Fig．10 Signal Transmogrification of High Speed H-bddge
图9所示的上管驱动电路有很强的驱动能力，并具有很高的极限频率，使用这个驱动电路来驱动MOS管，能使MOS管的控制信号在较高的频率(20 k以上)下不失真。