解决DSP设计面临的终极挑战

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        多年来，数字信号处理器 (DSP) 设计人员一直在应付这样一项艰难的工作：提供占用空间小的高性能芯片，而且要不影响灵活性和软件的可编程能力。

　　由于新的应用程序发展速度惊人，提供的 DSP 必须在功率、性能和使用寿命上跟上这种速度，应对当前面临的挑战，并准备好应对未来的应用。这些高性能多核心 DSP被越来越多地应用在电信接入、改进数据率GSM服务(EDGE)和基础设施设备领域，用来处理语音、视频和无线电信号。

　　以前，电信设备制造商使用专用的 ASIC 或 DSP-ASIC 组合来达到自己的目标。现在，这些新的 DSP 可以替代那些繁琐的解决方案；如果足够强大，它们还可以实现以前的解决方案所无法实现的灵活性。对于那些必须在网络部署中持续使用多年的接入和基础设施设备，而言, 这些灵活的解决方案是大有裨益的。假如这些类型的设备和应用程序的使用寿命得到延长，那么，成功的关键就是灵活性、适应性和现场可编程性。
　　在目前的技术条件下，ASIC 在灵活性或现场可编程性方面不如 DSP，但 DSP 的能耗较大，这让芯片设计人员左右为难。不过，还是有希望：新一代的多核心 DSP 可以同时做到高性能和高能效。做到这点的技术是存在的，但必须先解决“功率耗散”（功率极限）问题。

功率极限

　　目前，芯片功率耗散的源头有两个：以泄漏形式出现的静态现象；以开关运算形式出现的动态现象。在采用 90 纳米和以下工艺的 CMOS 技术中，这种功率耗散现象最为明显。但是，新一代的 DSP 设计不仅能减轻和避开这种功率极限，而且实际上可以提高基础设施、接入和 EDGE 设备的处理能力，同时限制功率消耗和热量耗散。
　　部分特定CMOS 技术下的能耗界定的关键度量指标:
　　?电源电压
　　?门开关速度
　　?门输入电容
　　?门功耗
　　?每个 MAC 运算消耗的能源
　　研究表明，同等功能（如 MAC 单元）的功率密度（即单位面积的功率）在 0.13 微米（含）以上的芯片中相当稳定。但是，到达 90 纳米时，这个指标会突然升高。



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Power/Area versus Silicon Technology[/td]

功率/面积与硅技术[/td][/tr]
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Power crisis at 90 nm and below[/td]

90 纳米及以下工艺的功率极限[/td][/tr]
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um[/td]

微米[/td][/tr]
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nm[/td]

纳米[/td][/tr]